نوی په سټاک مدغم سرکټ TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Ic چپ
د محصول ځانګړتیاوې
| ټایپ | تفصیل |
| کټګوري | جلا سیمیکمډکټر محصولات |
| Mfr | انفینون ټیکنالوژي |
| لړۍ | OptiMOS™ |
| بسته | ټیپ او ریل (TR) کټ ټیپ (CT) Digi-Reel® |
| د محصول حالت | فعاله |
| د FET ډول | N-چینل |
| ټیکنالوژي | MOSFET (فلزي اکسایډ) |
| منبع ولتاژ (Vdss) ته وچول | 100 وی |
| اوسنۍ – پرله پسې ډنډ (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta)، 42A (Tc) |
| د ډرایو ولټاژ (زیاته اندازه Rds آن، لږترلږه Rds آن) | 6V، 10V |
| Rds On (Max) @ ID، Vgs | 16mOhm @ 33A، 10V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 3.5V @ 33µA |
| د دروازې چارج (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (زیات) | ±20V |
| د ان پټ ظرفیت (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 50 V |
| د FET ځانګړتیا | - |
| د بریښنا ضایع کول (زیات) | 60W (Tc) |
| د عملیاتي حرارت درجه | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| د نصب کولو ډول | د سطحې غر |
| د عرضه کوونکي وسیله بسته | PG-TDSON-8-1 |
| بسته / قضیه | 8-PowerTDFN |
| د اساسی محصول شمیره | BSC160 |
اسناد او رسنۍ
| د سرچینې ډول | LINK |
| د معلوماتو پاڼې | BSC160N10NS3 G |
| نور اړوند اسناد | د برخې شمیره لارښود |
| ځانګړی محصول | د معلوماتو پروسس کولو سیسټمونه |
| د HTML ډیټاشیټ | BSC160N10NS3 G |
| د EDA ماډلونه | BSC160N10NS3GATMA1 د الټرا کتابتون لخوا |
| د سمولو ماډلونه | MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice ماډل |
د چاپیریال او صادراتو طبقه بندي
| ATTRIBUTE | تفصیل |
| د RoHS حالت | ROHS3 مطابقت لري |
| د رطوبت حساسیت کچه (MSL) | 1 (نامحدود) |
| د لاسرسي حالت | بې اغېزې ته رسېدل |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
اضافي سرچینې
| ATTRIBUTE | تفصیل |
| نور نومونه | BSC160N10NS3 G-ND BSC160N10NS3 G BSC160N10NS3 GINDKR-ND SP000482382 BSC160N10NS3GATMA1DKR BSC160N10NS3GATMA1CT BSC160N10NS3 GINDKR BSC160N10NS3G BSC160N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC160N10NS3 GINTR-ND BSC160N10NS3 GINCT-ND BSC160N10NS3 GINCT BSC160N10NS3GATMA1TR BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND |
| معیاري بسته | ۵۰۰۰ |
ټرانزیسټر یو سیمیکمډکټر وسیله ده چې معمولا په امپلیفیرونو یا بریښنایی کنټرول سویچونو کې کارول کیږي.ټرانزیسټرونه د ودانۍ بنسټیز بلاکونه دي چې د کمپیوټرونو، ګرځنده تلیفونونو او نورو ټولو عصري بریښنایی سرکیټونو عملیات تنظیموي.
د دوی د ګړندي غبرګون سرعت او لوړ دقت له امله ، ټرانزیسټرونه د ډیجیټل او انلاګ افعالونو پراخه ډولونو لپاره کارول کیدی شي ، پشمول د امپلیفیکیشن ، سویچ کولو ، ولټاژ تنظیم کونکي ، سیګنال ماډلول او اوسیلیټر.ټرانزیسټرونه په انفرادي ډول یا په خورا کوچنۍ سیمه کې بسته کیدی شي چې د مدغم سرکټ برخې په توګه 100 ملیون یا ډیر ټرانزیسټرونه ساتلی شي.
د الکترون ټیوب سره پرتله کول، ټرانزیسټر ډیری ګټې لري:
اجزا هیڅ مصرف نلري
مهمه نده چې ټیوب څومره ښه وي، دا به په تدریجي ډول د کیتوډ اتومونو او د هوا د اوږدې لیکې د بدلون له امله خراب شي.د تخنیکي دلیلونو لپاره، ټرانزیسټرونه ورته ستونزه درلوده کله چې دوی لومړی جوړ شوي وو.په موادو کې د پرمختګ او په ډیری اړخونو کې پرمختګونو سره، ټرانزیسټرونه معمولا د بریښنایی ټیوبونو په پرتله له 100 څخه تر 1000 ځله اوږد وي.
ډیر لږ بریښنا مصرف کړئ
دا د الکترون ټیوب څخه یوازې یو لسمه یا لسمه برخه ده.دا اړتیا نلري چې د الیکترون ټیوب په څیر وړیا الکترون تولیدولو لپاره فلیمینټ تودوخه کړي.د ټرانزیسټر راډیو یوازې یو څو وچې بیټرۍ ته اړتیا لري چې په کال کې د شپږو میاشتو لپاره اوریدل کیږي، کوم چې د ټیوب راډیو لپاره ستونزمن کار دی.
مخکې ګرمولو ته اړتیا نشته
هرڅومره ژر چې تاسو یې چالان کړئ کار وکړئ.د مثال په توګه، د ټرانزیسټر راډیو د فعالیدو سره سم بندیږي، او د ټرانزیسټر ټلویزیون د فعالیدو سره سم عکس ترتیبوي.د ویکیوم ټیوب تجهیزات دا نشي کولی.د بوټ وروسته، د غږ د اوریدو لپاره یو څه انتظار وکړئ، انځور وګورئ.په ښکاره ډول، په نظامي، اندازه کولو، ثبتولو، او داسې نورو کې، ټرانزیسټرونه خورا ګټور دي.
قوي او د باور وړ
د الیکترون ټیوب په پرتله 100 ځله ډیر د اعتماد وړ دی، د شاک مقاومت، د کمپن مقاومت، کوم چې د الکترون ټیوب سره بې ساري دی.برسېره پر دې، د ټرانزیسټر اندازه د الکترون ټیوب د اندازې له لسمې څخه تر سل پورې ده، د تودوخې خوشې کول خورا لږ دي، د کوچني، پیچلي، معتبر سرکیټونو ډیزاین کولو لپاره کارول کیدی شي.که څه هم د ټرانزیسټور جوړولو پروسه دقیقه ده، پروسه ساده ده، کوم چې د اجزاوو نصب کولو کثافت ته وده ورکوي.
