اقتباس BOM لیست IC IDW30C65D2 د لوړ کیفیت سره مدغم سرکټ
د محصول ځانګړتیاوې
| ټایپ | تفصیل |
| کټګوري | جلا سیمیکمډکټر محصولات |
| Mfr | انفینون ټیکنالوژي |
| لړۍ | چټک 2 |
| بسته | ټیوب |
| د محصول حالت | فعاله |
| د ډیوډ ترتیب | 1 جوړه عام کیتوډ |
| د ډایډ ډول | معیاري |
| ولتاژ - DC ریورس (Vr) (زیاته) | ۶۵۰ وی |
| اوسنی – اوسط اصلاح شوی (Io) (په هر ډیویډ) | 15A |
| ولتاژ – فارورډ (Vf) (Max) @ که | 2.2 V @ 15 A |
| سرعت | چټک رغونه =< 500ns, > 200mA (Io) |
| د بیرته راګرځیدو وخت (trr) | 32 ns |
| اوسنۍ - ریورس لیکیج @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| عملیاتي تودوخه – جنکشن | -40°C ~ 175°C |
| د نصب کولو ډول | د سوراخ له لارې |
| بسته / قضیه | TO-247-3 |
| د عرضه کوونکي وسیله بسته | PG-TO247-3-1 |
| د اساسی محصول شمیره | IDW30C65 |
اسناد او رسنۍ
| د سرچینې ډول | LINK |
| د معلوماتو پاڼې | IDW30C65D2 |
| نور اړوند اسناد | د برخې شمیره لارښود |
| د HTML ډیټاشیټ | IDW30C65D2 |
د چاپیریال او صادراتو طبقه بندي
| ATTRIBUTE | تفصیل |
| د RoHS حالت | ROHS3 مطابقت لري |
| د رطوبت حساسیت کچه (MSL) | 1 (نامحدود) |
| د لاسرسي حالت | بې اغېزې ته رسېدل |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
اضافي سرچینې
| ATTRIBUTE | تفصیل |
| نور نومونه | SP001174452 2156-IDW30C65D2XKSA1 IFEINFIDW30C65D2XKSA1 |
| معیاري بسته | ۲۴۰ |
ډایډونه دوه اړخیزه بریښنایی اجزا دي چې جریان په عمده توګه په یو لوري کې ترسره کوي (غیر متناسب کنډکټانس)؛دا په یو لوري کې ټیټ مقاومت لري (په مثالي توګه صفر) او په بل لوري کې لوړ مقاومت (مثالی لامحدود).د ډایډ ویکیوم ټیوب یا د ترمو الیکټرون ډایډ یو ویکیوم ټیوب دی چې دوه الیکټروډونه لري ، یو تودوخه کیتوډ او یو پلیټ چې په هغه کې الکترون کولی شي یوازې په یو لوري کې له کیتوډ څخه پلیټ ته تیر شي.د سیمی کنډکټر ډایډ، نن ورځ ترټولو عام کارول شوی ډول، یو کرسټال سیمیکمډکټر مواد دی چې د pn جنکشن سره دوه بریښنایی ترمینلونو سره وصل دی.
د ډایډډ ترټولو عام دنده دا ده چې جریان ته اجازه ورکړي چې په یو لوري کې تیریږي (د ډیایډ مخکښ لوري ته ویل کیږي)، پداسې حال کې چې دا په مخالف لوري کې بندوي (مخالف لوري).په دې توګه، ډایډډ د بیرته ستنیدو والو د بریښنایی نسخې په توګه لیدل کیدی شي.دا یو طرفه چلند د اصلاح په نوم یادیږي او د بدیل اوسني (ac) مستقیم اوسني (dc) ته د بدلولو لپاره کارول کیږي.Rectifiers، د ډایډونو په بڼه، د دندو لپاره کارول کیدی شي لکه د راډیو ریسیور کې د راډیو سیګنالونو څخه انډول استخراج.
په هرصورت، د ډایډډ غیر خطي اوسني ولټاژ ځانګړتیاو له امله، د دې چلند د دې ساده بدلولو عمل څخه ډیر پیچلی کیدی شي.د سیمی کنډکټر ډایډ بریښنا یوازې هغه وخت ترسره کوي کله چې په مخکینۍ لوري کې د حد ولټاژ یا د انپټ ولټاژ شتون ولري (ډیایډ په مخکینۍ اړخ کې ویل کیږي).د فارورډ بایزډ ډایډډ په دواړو سرونو کې د ولتاژ کمښت یوازې د اوسني سره لږ څه توپیر لري او د تودوخې فعالیت دی.دا اغیزه د تودوخې سینسر یا حوالې ولتاژ په توګه کارول کیدی شي.برسېره پردې، کله چې د ډیایډ په دواړو سرونو کې ریورس ولټاژ یو ارزښت ته ورسیږي چې د بریک ډاون ولټاژ په نوم یادیږي، د ریورس جریان په وړاندې د ډیایډ لوړ مقاومت ناڅاپه ټیټ مقاومت ته راټیټیږي.
د سیمیکمډکټر ډایډونو اوسني ولتاژ ځانګړتیاوې د سیمیکمډکټر موادو غوره کولو او د تولید پروسې په جریان کې په موادو کې د ډوپینګ ناپاکۍ معرفي کولو سره تنظیم کیدی شي.دا تخنیکونه د ځانګړي ډیایډونو رامینځته کولو لپاره کارول کیږي چې ډیری مختلف دندې ترسره کوي.د مثال په توګه، ډایډونه د ولتاژ تنظیمولو لپاره کارول کیږي (زینر ډایډونه)، د لوړ ولتاژ سرجونو څخه د سرکونو ساتنه (د واورو ډایډونو)، په بریښنایی توګه د راډیو او تلویزیون ریسیورونو (ویراټور ډایډونه) د RF oscillations (تونل ډایډونو)، ګن ډیایډونو، IMPATT ډایډونو تولید لپاره. ، او رڼا تولیدوي (د رڼا جذبونکي ډایډونه).تونل ډایډونه، ګن ډایډونه، او IMPATT ډایډونه منفي مقاومت لري، کوم چې په مایکروویو او سویچنګ سرکیټونو کې ګټور دي.
دواړه ویکیوم ډایډونه او د سیمی کنډکټر ډایډونه د سکریټر شور جنراتورونو په توګه کارول کیدی شي.
