د بریښنایی اجزاو IC چپس مدغم سرکیټونه IC TPS74701QDRCRQ1 یو ځای پیرود
د محصول ځانګړتیاوې
| ټایپ | تفصیل |
| کټګوري | مدغم سرکټونه (ICs) |
| Mfr | د ټیکساس وسایل |
| لړۍ | اتوماتیک، AEC-Q100 |
| بسته | ټیپ او ریل (TR) کټ ټیپ (CT) Digi-Reel® |
| د محصول حالت | فعاله |
| د محصول ترتیب | مثبت |
| د محصول ډول | د سمون وړ |
| د تنظیم کونکو شمیر | 1 |
| ولتاژ - ننوت (زیات) | 5.5V |
| ولتاژ - محصول ( دقیقه / ثابت) | 0.8V |
| ولتاژ - محصول (زیات) | 3.6V |
| ولتاژ غورځول (زیاته) | 1.39V @ 500mA |
| اوسنی - محصول | 500mA |
| PSRR | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 300kHz) |
| د کنټرول ځانګړتیاوې | فعال کړئ، د بریښنا ښه، نرم پیل |
| د ساتنې ځانګړتیاوې | په اوسني وخت کې، د تودوخې څخه زیات، لنډ سرکټ، د ولتاژ بندولو لاندې (UVLO) |
| د عملیاتي حرارت درجه | -40°C ~ 125°C |
| د نصب کولو ډول | د سطحې غر |
| بسته / قضیه | 10-VFDFN افشا شوي پیډ |
| د عرضه کوونکي وسیله بسته | 10-VSON (3x3) |
| د اساسی محصول شمیره | TPS74701 |
د ویفرونو او چپس ترمنځ اړیکه
د ویفرونو عمومي کتنه
د ویفر او چپس ترمنځ د اړیکو د پوهیدو لپاره، لاندې د ویفر او چپ پوهه کلیدي عناصرو یوه عمومي کتنه ده.
(i) ویفر څه شی دی
ویفرونه د سیلیکون ویفرونه دي چې د سیلیکون سیمیکمډکټر مدغم سرکیټونو په تولید کې کارول کیږي ، کوم چې د دوی د سرکلر شکل له امله ویفر په نوم یادیږي؛دوی په سیلیکون ویفرونو کې پروسس کیدی شي ترڅو مختلف سرکټ اجزا رامینځته کړي او د ځانګړي بریښنایی دندو سره مدغم سرکټ محصولات شي.د ویفرونو لپاره خام مواد سیلیکون دی، او د سیلیکون ډای اکسایډ یو نه ختمیدونکی عرضه د ځمکې په سطحه کې شتون لري.د سیلیکون ډای اکسایډ ایسک په بریښنایی آرک فرنسونو کې تصفیه کیږي، د هایدروکلوریک اسید سره کلورین شوی او د 99.999999999999٪ پاکوالي سره د لوړ پاکوالي پولیسیلیکون تولید لپاره مینځل کیږي.
(ii) د ویفرونو لپاره اساسي خام مواد
سیلیکون د کوارټز شګو څخه تصفیه کیږي او ویفرونه (99.999٪) د عنصر سیلیکون څخه پاک شوي، چې بیا د سیلیکون راډونو څخه جوړ شوي چې د مربوط سرکیټونو لپاره د کوارټز سیمیکمډکټرونو لپاره مواد کیږي.
(iii) د ویفر جوړولو پروسه
ویفر د سیمی کنډکټر چپس جوړولو لپاره بنسټیز توکي دي.د سیمیکمډکټر مدغم سرکیټونو لپاره خورا مهم خام مواد سیلیکون دی او له همدې امله د سیلیکون ویفرونو سره مطابقت لري.
سیلیکون په پراخه کچه په طبیعت کې د سیلیکیټ یا سیلیکون ډای اکسایډ په شکل په ډبرو او ډبرو کې موندل کیږي.د سیلیکون ویفرونو تولید په دریو اساسي مرحلو کې لنډیز کیدی شي: د سیلیکون پاکول او پاکول، د واحد کرسټال سیلیکون وده، او د ویفر جوړول.
لومړی د سیلیکون پاکول دي ، چیرې چې د شګو او جغل خام مواد د 2000 ° C تودوخې او د کاربن سرچینې په شتون کې په بریښنایی آرک فرنس کې اچول کیږي.په لوړه تودوخه کې، کاربن او سیلیکون ډای اکسایډ په شګو او ډبرو کې د کیمیاوي تعامل سره مخ کیږي (کاربن د اکسیجن سره یوځای کیږي، سیلیکون پریږدي) د خالص سیلیکون ترلاسه کولو لپاره د شاوخوا 98٪ پاکوالي سره، چې د فلزي درجې سیلیکون په نوم هم پیژندل کیږي، کوم چې نه دی. د مایکرو الیکترونیکي وسیلو لپاره کافي خالص دی ځکه چې د سیمیکمډکټر موادو بریښنایی ملکیتونه د ناپاکۍ غلظت ته خورا حساس دي.د فلزي درجې سیلیکون له دې امله نور هم پاک شوی: کچل شوي فلزي درجې سیلیکون د ګازو هایدروجن کلورایډ سره د کلورینیشن تعامل سره مخ کیږي ترڅو مایع سلین تولید کړي، کوم چې بیا د یوې پروسې لخوا مینځل کیږي او په کیمیاوي ډول کمیږي چې د لوړ پاکوالي پولی کریسټالین سیلیکون د 999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999 purity سره د لوړ پاکوالي پولی کریسټالین سیلیکون تولیدوي. ٪، کوم چې د بریښنایی درجې سیلیکون کیږي.
ورپسې د مونوکریسټالین سیلیکون وده راځي ، ترټولو عام میتود چې د مستقیم ایستلو (CZ میتود) په نوم یادیږي.لکه څنګه چې په لاندې انځور کې ښودل شوي، د لوړ پاکوالي پولیسیلیکون په کوارټز کرسیبل کې ځای پرځای شوی او په دوامداره توګه د ګرافیت هیټر سره په بهر کې شاوخوا تودوخه کیږي، د تودوخې درجه نږدې 1400 ° C ساتل کیږي.په فرنس کې ګاز معمولا غیر فعال وي، پولیسیلیکون ته اجازه ورکوي پرته له دې چې ناغوښتل کیمیاوي تعاملات رامینځته کړي.د واحد کرسټالونو د جوړولو لپاره، د کرسټالونو اورینټیشن هم کنټرول کیږي: کریسبل د پولیسیلیکون خټکي سره څرخیږي، د تخم کرسټال په هغې کې ډوب شوی، او د ډراینګ راډ په مخالف لوري کې لیږدول کیږي پداسې حال کې چې ورو او په عمودی توګه دا پورته پورته کوي. سیلیکون منحل.منحل شوی پولیسیلیکون د تخم کرسټال په ښکته برخه کې ودریږي او د تخم کرسټال د جالی ترتیب په لور وده کوي.
